高周波誘導加熱：MOCVD
(有機金属化学気相成長法)

高周波誘導加熱を活用したMOCVD(有機金属化学気相成長法)についての概要

有機金属化学気相成長法[Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)]、またはガス・ガスプレーティングとされ、有機金属化合物である原料ガスの化学反応を利用して、ウエハー上に半導体の単結晶薄膜を成長させる方法です。
MOCVD は半導体工業で広く使われている方法です。
基板となるウエハーはシリコンかガリウム砒素で、グラファイトのサセプタの上に置き、薄膜が成長しやすいように高温で加熱されます。
初めにプロピレンでウエハーをクリーニングし、半導体材料は、Ｐタイプであればアルミ、Ｎタイプであればボロンをドープすることにより作られます。
MOCVDプロセスは、ガスを切り替えることにより様々な組成の薄膜の成長が可能であり、また生産性に優れた方法です。

誘導加熱活用による利点

誘導加熱を使った加熱は、他の加熱方法に比べ多くの長所があります。
誘導加熱は信頼性、再現性に優れ、非接触でエネルギー効率の高い加熱を短時間に行います。
ソリッドステートシステムは、それぞれの冶金学上の特性を損ないことなく、極めて狭い範囲またはパーツに高い精度を持って加熱することができます。

ソリッドステートＲＦ誘導加熱電源はMOCVDのプロセスにおいて、グラファイト・サセプタの加熱に大切な役割を果たします。
厳しい品質管理とクリーンな環境での製造が求められる半導体産業において、誘導加熱はもっとも適した加熱方法であり、また温度勾配など精密な制御を可能にします。

ＭＯＣＶＤに適したＲＦ電源の出力範囲は、アプリケーションによりますが1～5Kwの範囲です。

アプリケーション・データベースへのご案内

このページのアプリケーションに関して、以下の資料を用意しております。
アプリケーションノートのお申し込み

ガリウム砒素ウェーハ生産（MOCVD）
グラファイトサセプタを加熱

ご利用ください！無償サンプルテスト

あなたのアプリケーションに高周波誘導加熱は適しているでしょうか？

私たちは常にプレシジョン高周波誘導加熱の新しい応用の評価や開発を行っております。
加熱したいパーツを送っていただければ、無償で評価し最適な機種の選定を行います。
パーツとプロセスのご説明をお送りいただき、そのプロセスで最も重要なポイントをお教えいただければ、最適なアドバイスをさせていただきます。
また、誘導加熱用電源の効率を最大限に引き出す機器の選定や生産ラインへの組み込み等、お気軽にご相談ください。